Финансовый гений Техника Эван Бласс представил рендеры нового Microsoft Surface Pro

Эван Бласс представил рендеры нового Microsoft Surface Pro

Знаменитый Эван Бласс (@evleaks) опубликовал рендеры нового гибридного планшета Microsoft Surface Pro, который должны официально представить 23 мая в Шанхае. Он также заявил, что речь идет вовсе не о Surface Pro 5, а о «просто» Surface Pro (ранее он называл его Microsoft Surface Pro 4 Refresh), обновленной версии прошлогоднего гибрида.

К сожалению, технические параметры пока остаются неизвестными. Однаок согласно более ранним утечкам, новый Microsoft Surface Pro может получит дисплей с разрешением 4K Ultra HD (3840 x 2160 пикселей). Он основан на процессорах Intel Kaby Lake и накопителе объемом до 512 ГБ. Время автономной работы вырастет. Также изменится перо Surface Pen, в том числе аккумулятор станет встроенным и сможет подзаряжаться беспроводным способом. Отдельно отмечается порт USB Type-C/Thunderbolt 3. Программной платформой станет Windows 10 с обновлением Redstone 3.

Подтверждение или опровержение этой информации мы получим уже 23 мая.  




Related Post

Планшет Samsung Galaxy Tab S3 оценен в $600 в СШАПланшет Samsung Galaxy Tab S3 оценен в $600 в США

Стала известна цена на планшет Samsung Galaxy Tab S3 в США. Информацией поделился ритейлер Best Buy, у него модель только с Wi-Fi оценена в $599,99. Срок начала продаж пока не

Главное за неделю: iPhone 8 может задержаться, Windows 10 S и характеристики OnePlus 5Главное за неделю: iPhone 8 может задержаться, Windows 10 S и характеристики OnePlus 5

На минувшей рабочей неделе компания Microsoft представила новую версию Windows, Windows 10 S, а также показала ноутбук Surface. Появилась информация о возможной задержке iPhone 8 до 2018-го года. В сеть

Samsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чиповSamsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чипов

Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы (SoC, System-on-Chip) по 10-нанометровому техпроцессу FinFET. Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) получил транзисторную 3D-структуру. Он