Google представила Daydream 2.0 Euphrates - Финансовый гений

Google представила Daydream 2.0 Euphrates

На конференции для разработчиков Google I/O 2017, которая проходит в Маунтин-Вью (Калифорния) с 17 по 19 мая, компания Google представила следующее поколение своей платформы виртуальной реальности — Daydream 2.0 с кодовым названием Euphrates.


По словам разработчиков, Daydream Euphrates расширяет развлекательные возможности виртуальной реальности, а также позволит легче делиться контентом с другими пользователями. Она ориентирована как на смартфоны, так и на самостоятельные автономные шлемы виртуальной реальности, разработка которых была анонсирована Google вчера.



Изменился дизайн домашнего экрана, в любом приложении можно вызвать новую панель управления для просмотра уведомлений и других пунктов меню. Появилась поддержка Cast, в результате если один пользователь играет в шлеме виртуальной реальности, другой может следить за его достижениями на Chromecast-совместимом телевизоре в 2D-режиме. Также можно делиться скриншотами и видео, снятыми во время сеанса Daydream.



Также в Daydream появился полноценная версия веб-браузера Chrome с возможностью навигации с помощью стандартного контроллера Daydream. Помимо веб-серфинга, возможно взаимодействие с WebVR-приложениями и просмотр видео в полноэкранном режиме. Chrome для Android получит поддержку Daydream ближе к концу года.


Related Post

Потенциальный Nokia E1 или D1C показался на фотоПотенциальный Nokia E1 или D1C показался на фото

Китайские источники опубликовали живое фото, показывающее готовящийся к выпуску смартфон под брендом Nokia. Изначально предполагалось, что это модель под маркировкой Nokia D1C, но затем было обнаружено подтверждение в виде разбора

Qualcomm представила LTE-модем Snapdragon X20 со скоростью загрузки до 1,2 Гбит/сQualcomm представила LTE-модем Snapdragon X20 со скоростью загрузки до 1,2 Гбит/с

Компания Qualcomm анонсировала чипсет Snapdragon X20. Это седьмое поколение многорежимных LTE-модемов и второе поколение гигабитных LTE-решений на основе 10-нанометрового техпроцесса FinFET.