LG G4 получит дисплей с сумасшедшим разрешением - Финансовый гений

LG G4 получит дисплей с сумасшедшим разрешением

В сети опубликован еще один профиль смартфона LG с индексом LG-VS999. К сожалению, кроме разрешения экрана, утекший документ не несет в себе какой-либо другой ценной информации.

В базе данных бенчмарка GFXBench появилась информация о неанонсированном смартфоне LG H959, который имеет шансы занять место международной версии представленного на CES 2015 G Flex 2, который, к слову, сегодня дебютирует на рынке Южной Кореи.

Стоит помнить, что LG G3 обозначается как VS985 (версия для американского оператора Verizon), так что VS999 вполне может быть новым флагманом этого производителя. Практически сразу пользователи отметили огромное разрешение экрана устройства, которое составляет 2880 на 1620 точек, или же 3К, что может стать своеобразным рекордом. Помимо информации об экране, известно, что LG G4 получит процессор Qualcomm Snapdragon 810, 4 ГБ оперативной памяти и 16 МП камеру с лазерным автофокусом. Начало продаж намечено на второй квартал текущего года.

Related Post

Психологическое поведение мужчин и женщин похоже на 75% — УченыеПсихологическое поведение мужчин и женщин похоже на 75% — Ученые

Ученые из американского университета штата Айова установили, что головной мозг женщин и мужчин похож больше, чем считалось ранее. Ученые выявили и некоторые различия в реакциях людей на различные ситуации. Так, опрос 12 млн добровольцев показал,

Ученые: Черепно-мозговые травмы сокращают жизньУченые: Черепно-мозговые травмы сокращают жизнь

Ученые после проведения многочисленных исследований останков 12-17 веков пришли к выводам, что черепно-мозговые травмы очень негативно сказываются на продолжительности жизни. Однако ученые успокаивают, в настоящее время риск не столь велик, но тем не менее сохраняется. Черепно-мозговая

Молекулярные инженеры записывают квантовое состояние электронаМолекулярные инженеры записывают квантовое состояние электрона

Команда исследователей во главе с Университетом Чикаго разработала методику для записи квантово-механического поведения отдельного электрона, содержавшегося в пределах наноразмерного дефекта в алмазе. Данный метод использует сверхбыстрые импульсы лазерного света для