Названы победители ежегодного конкурса фотографий, сделанных смартфонами Apple iPhone - Финансовый гений

Названы победители ежегодного конкурса фотографий, сделанных смартфонами Apple iPhone

Организаторы девятого ежегодного конкурса iPhone Photography Awards (IPPAWARDS), в котором принимают участие снимки, сделанные смартфонами iPhone, объявили его победителей. Гран-при получила фотография «Мужчина и орел», которую сделал китайский фотограф Сюань Ню (Siyuan Niu).

Первое место занял польский фотограф Патрик Кулета с работой из серии «Современные соборы».

На втором месте — Робин Робертис (Robin Robertis) из США, приславшая снимок «Она гнется на ветру».

Третье место получила Кэролин Мара Боленги (Carolyn Mara Borlenghi), тоже из США, со снимком из серии «Страна чудес».

Всего в конкурсе приняли участие фотографы из 139 стран, приславшие тысячи снимков.

По три призовых места было определено в каждой из 19 категорий. С галереей конкурса можно ознакомиться на сайте IPPAWARDS.

Источник: IPPAWARDS

Теги:

Комментировать

Related Post

Смартфон ZenFone 4 Max похож одновременно и на ZenFone 3 Zoom, и на ZenFone 3 MaxСмартфон ZenFone 4 Max похож одновременно и на ZenFone 3 Zoom, и на ZenFone 3 Max

Линейки смартфонов ZenFone компании Asus на данный момент не могут похвастаться логикой в своей структуре, из-за чего порой неясно, почему тот или иной аппарат относится именно к такому или иному

Шестидюймовый смартфон iNew U9 Plus получил 64-битную SoC MediaTek MT6735AШестидюймовый смартфон iNew U9 Plus получил 64-битную SoC MediaTek MT6735A

Представлен смартфон iNew U9 Plus, который при рекомендуемой цене $110 можно отнести к начальному уровню, хотя еще недавно его характеристики соответствовали доступному среднему классу. Новинка следует азиатской моде на большие

Начат выпуск 10-нанометровых SoC Samsung Exynos 9 Series 8895Начат выпуск 10-нанометровых SoC Samsung Exynos 9 Series 8895

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска однокристальных систем Exynos 9 Series 8895. Это первая SoC Samsung, изготавливаемая по 10-нанометровой технологии FinFET с улучшенной объемной структурой транзисторов, которая обеспечивает