Рассекречена дата релиза смарт-часов Samsung Gear S3 - Финансовый гений

Рассекречена дата релиза смарт-часов Samsung Gear S3

Голландское представительство Samsung рассекретило через свой Twitter-аккаунт дату выхода в продажу новых смарт-часов Gear S3. Смарт-часы Gear S3 анонсировали на выставке IFA 2016, которая проходит в Берлине с 2 по 7 сентября, но тогда не были объявлены сроки начала продаж.


Итак, по сообщению Samsung Nederland, смарт-часы Samsung Gear S3 станут доступны с 4 ноября. Ожидаемая цена для Европы, при этом составляет 399 евро.

Напомним, предусмотрены две вариации — классическая Samsung Gear S3 classic и Gear S3 frontier, ориентированная на более жестокую эксплуатацию. Помимо дизайна, модели отличаются наличием у Gear S3 frontier модуля сотовой связи 3G/LTE и спикерфона, что позволит совершать телефонные звонки.

По сравнению с прошлогодними Samsung Gear S2, Gear S3 получили увеличенный до 1,3 дюйма в диагонали круглый Super AMOLED-дисплей разрешением 360 х 360 пикселей с новым защитным стеклом Corning Gorilla Glass SR+, появилась поддержка GPS и ГЛОНАСС, емкость аккумулятора увеличилась до 380 мАч, объем оперативной памяти вырос до 768 МБ, появилась поддержка платежей с MST.

Сохранились двухъядерный процессор, 4 ГБ встроенной флеш-памяти, NFC, аксерометр, гироскоп, барометр, пульсомер и датчик освещенности, беспроводная зарядка, защита от воды и пыли по стандарту IP68. Работа производится под управлением операционной системы Tizen 2.3.2.

Related Post

Doogee Y6 Max 3D может похвастаться стереоскопическим дисплеемDoogee Y6 Max 3D может похвастаться стереоскопическим дисплеем

Похожие записи: Против Apple возбудили дело из-за российских цен на iPhone Apple готовит три стеклянных iPhone 8 на 2017 год Highscreen Boost 3 SE с аккумуляторами на 10 000 мАч

Qualcomm представила LTE-модем Snapdragon X20 со скоростью загрузки до 1,2 Гбит/сQualcomm представила LTE-модем Snapdragon X20 со скоростью загрузки до 1,2 Гбит/с

Компания Qualcomm анонсировала чипсет Snapdragon X20. Это седьмое поколение многорежимных LTE-модемов и второе поколение гигабитных LTE-решений на основе 10-нанометрового техпроцесса FinFET.