Ученые: Успехи детей в школе зависят от достатка семьи - Финансовый гений

Ученые: Успехи детей в школе зависят от достатка семьи

Учеными Калифорнийского Университета совместно со специалистами Американской академии педиатрии было установлено, что способности ребенка в обучении связанны не только с ежедневной посещаемостью ребенка школы, но и от семьи в которой этот ребенок воспитывается. Сильной мотивацией к развитию интеллектуальных навыков были надежды, которые родители возлагали на своего ребенка, а также потенциальная возможность поступления его в высшее учебное заведения. Дети выполняли стандартизированные психологические тесты, в частности, те, которые предназначены для оценки способностей.

Объясняют это ученые тем, что в благополучных семьях с образованными и развивающимися родителями ребенок получает больше внимания, воспитания, доступа к образованию и самообразованию. Ряд социально-экономических факторов влияет на ребенка гораздо больше.

96% родителей, у которых дети имеют хорошие показатели в сфере учебы, планируют отдать их в колледж.

Так, дети, рожденные в бедных семьях, хуже остальных справлялись с тестами и головоломками. Ученики из обеспеченных семей учились лучше.

Related Post

Как создать заголовок и мета-теги, оптимизированные под поисковые машиныКак создать заголовок и мета-теги, оптимизированные под поисковые машины

В этой статье я пошагово объясню, как создать заголовок и мета-теги, оптимизированные под поисковые машины. Статья состоит из двух частей. В первой мы познакомимся с элементом Title (заголовок). Похожие записи:

Исследователи нашли причину эозинофильного эзофагитаИсследователи нашли причину эозинофильного эзофагита

Новое исследование в «Nature Genetics» выявило современные генетические и молекулярные механизмы возникновения эозинофильного эзофагита (ЭоЭ) в пищеводе, открыв потенциальные терапевтические стратегии для загадочной и с трудом поддающейся лечению пищевой аллергии.

Молекулярные инженеры записывают квантовое состояние электронаМолекулярные инженеры записывают квантовое состояние электрона

Команда исследователей во главе с Университетом Чикаго разработала методику для записи квантово-механического поведения отдельного электрона, содержавшегося в пределах наноразмерного дефекта в алмазе. Данный метод использует сверхбыстрые импульсы лазерного света для